| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN1767224A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200510109947.7 | 申请日期 | 2001.03.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西井胜则;井上薰;松野年伸;池田义人;正户宏幸 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：是具备有保护氧化膜的多个半导体装置；半导体装置由分别形成在晶片状衬底上被划片区域包围的多个元件形成区域上的III族氮化物半导体构成；保护氧化膜形成在所述衬底上划片区的外围部分，由所述III族氮化物半导体氧化形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||