| 发明名称 | 多波长半导体激光装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在衬底的第一区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第一脊状结构的上部的第二导电型包覆层；以及低输出LD，包括顺序形成在衬底的第二区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第二脊状结构的上部的第二导电型包覆层，其中，第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成的，第一脊状结构在两个或多个弯曲位置弯曲，并且第二脊状结构是直线形的。 | ||
| 申请公布号 | CN1767285A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200510080012.0 | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 朴钟翼;金裕承;文基愿;吴蕙兰 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01);H01S5/40(2006.01);H01S5/026(2006.01);H01L27/15(2006.01) | 主分类号 | H01S5/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 1.一种多波长半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在所述衬底的所述第一区域上的第一导电型包覆层、活性层、和第二导电型包覆层，其中，所述第二导电型包覆层包括具有第一脊状结构的上部；以及低输出LD，包括顺序形成在所述衬底的所述第二区域上的第一导电型包覆层、活性层、和第二导电型包覆层，其中，所述第二导电型包覆层包括具有第二脊状结构的上部，其中，所述第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成，所述第一脊状结构在两个或更多个弯曲位置弯曲，而所述第二脊状结构是直线形的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||