| 发明名称 | 氧化硅薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化硅薄膜的制造方法，其应用于多晶硅薄膜晶体管工艺，其先以等离子体辅助化学气相沉积系统于衬底完成沉积非晶硅薄膜的步骤之后，再对非晶硅膜提供含氧等离子体，对其表面施以含氧元素的等离子体处理，使非晶硅膜形成表面氧化层，此方法能减少工艺所需花费的时间，进而减少工艺的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1254853C | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN03107331.X | 申请日期 | 2003.03.20 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 林辉巨 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/473(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种氧化硅薄膜的制造方法，其应用于多晶硅薄膜晶体管的工艺，其步骤包括：提供一等离子体辅助化学气相沉积系统；提供一绝缘衬底，其设于该等离子体辅助化学气相沉积系统内；以等离子体辅助化学气相沉积方法于该绝缘衬底表面形成一非晶硅膜；以及对该非晶硅膜施以含氧元素的等离子体表面处理，使该非晶硅膜产生一表面氧化层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业区苗栗县 | ||