集成于绝缘衬底上外延硅薄板上的多晶锗基波导检测器

摘要

本发明涉及一种光电检测器，其具有在绝缘衬底上外延硅(SOI)结构上形成的相对较薄(亚微米)的硅质光波导管，上述SOI结构包含一层多晶锗层，所设置的多晶锗层用于耦合至少部分沿着硅光波导管传播的光信号。光信号被严格限定在波导结构中，使得能够有效地迅速衰减耦合到多晶锗检测器中。硅质光波导可以包含任何所希望的几何形状，多晶锗检测器或者覆盖部分波导管，或者对接耦合到波导管的一端部。在覆盖部分波导管时，多晶锗检测器可以包含“包裹覆盖”的形状来覆盖光波导管的侧面和顶面，并在检测器的相对的两端上形成电接点。

主权项

1.基于绝缘衬底上外延硅(SOI)平台的光电检测器结构，其特征在于，所述光电检测器结构包括：包含有顶部主表面的硅衬底；配置成覆盖所述硅衬底的顶部主表面的埋置的氧化物层，所述埋置的氧化物层包含有顶部主表面；配置成覆盖所述埋置的氧化物层顶部主表面的至少一部分的、亚微米厚度的硅质光波导层；配置成接触所述硅质光波导层的一部分的多晶锗检测器层；以及配置在所述多晶锗检测器层的横向相对的末端的一对电接点，其中，所述多晶锗检测器层具有适合于吸收沿着亚微米厚度硅质光波导层传播的光信号的带隙，并在上述电接点对之间产生电输出信号。