| 发明名称 | 沟槽型MOSFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种沟槽型MOSFET，在依次将P型的高掺杂漏极部即基板、P型的低掺杂漏极部即外延层、N型的本体部、以及P型的源极扩散部相邻形成的半导体基板上，形成沟槽部。再在与沟槽部绝缘的状态下，形成源极扩散部以覆盖沟槽部，从而能降低沟槽型MOSFET的导通(ON)电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1767214A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200510119232.X | 申请日期 | 2005.10.28 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | A·O·阿丹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种沟槽型MOSFET，其特征在于，在将第1导电型的高掺杂漏极部、第1导电型的低掺杂漏极部、第2导电型的沟道本体部、以及第1导电型的源极部依次相邻形成的半导体基板上，设置了沟槽部，所述沟槽部被所述源极部覆盖，而且沟槽部和源极部绝缘。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||