半导体激光器元件及其制造方法

摘要

本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。

主权项

1.一种半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型层夹着的活性层的半导体层，所述半导体层具有谐振器面以及从该谐振器面向出射方向突出的突出部，其特征在于：所述谐振器面和突出部的端面通过刻蚀形成，所述基板表面的一部分露出，从所述谐振器面到突出部的端面和基板表面连续设置保护膜；从所述谐振器面出射的光不被所述突出部以及设在突出部的保护膜遮挡并且将可放射的最大的角度作为放射临界角，该放射临界角大于从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角。