| 摘要 |
本发明提供一种可以抑制备用模式时产生的、由稳定性特性引起的MOS电晶体的特性退化，避免电路特性的退化的运算放大器电路。在运算放大器电路中，包括：连接在差动MOS电晶体M3、M4的反向栅极B与源极S之间的、连接用MOS电晶体M10、M11；连接在电源电位VDD与所述反向栅极B之间的偏压设定用MOS电晶体M12。M10是备用信号STB施加在栅极上的P沟道型MOS电晶体；M11是反向备用信号STBB施加在栅极的N沟道型MOS电晶体。另外，M12是反向备用信号STBB施加在栅极的P沟道型MOS电晶体。 |
