设置于导电元件上之凸块底层金属结构以及半导体装置及其形成方法

摘要

本发明系提供一种凸块底层金属(UBM)结构以提供电性连接。其中凸块底层金属结构包括复数层金属层，沉积于半导体装置(例如：一半导体晶片)之连接垫上。凸块底层金属结构可提供连接垫与沉积于凸块底层金属结构上之焊锡凸块的介面。于一实施例中，凸块底层金属结构包括镍层以及铜层，其中镍层系上层并与焊锡凸块接触，而铜层系下层并与连接垫接触。而镍层包括沿周边之向下延伸部分以覆盖铜层之下层UBM结构。因此，藉由此种遮蔽可避免铜层于回焊过程中与焊锡材料接触，进而避免铜与焊锡间的不理想反应。