矽磊晶晶圆及其制造方法

摘要

本发明之矽磊晶晶圆系由掺杂有碳为5×10^15至5×10^17atoms／cm^3之浓度范围的CZ矽晶锭，所切出的矽单晶晶圆表面，藉由磊晶成长，形成由矽单晶所构成的磊晶层之矽磊晶晶圆。并且，在上述矽单晶晶圆背面，形成厚度为0.5μm以上、1.5μm以下的多晶矽层。