混合磊晶之支撑及其制造方法

摘要

本发明提供一种用于制造磊晶之支撑的方法，其包含在一导电单晶碳化矽或氮化镓之第一基板中形成一绝缘单晶碳化矽或绝缘单晶氮化镓层。该方法亦包含转移该单晶碳化矽或氮化镓层至一第二基板上，该第二基板自一具有1.5 W.cm^–1 .K^–1或更高之热导率之多晶陶瓷材料形成。本方法使得能够便宜地制造高效能电子元件，尤其用于高频功率应用。