双浅沟槽隔离半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，具有记忆体单元区域和周围电路区域的半导体装置，包括矽基板(1)和由在上述矽基板(1)的表面所形成的矽氧化膜(6)所组成的元件分离部(6a,6b)。记忆体单元区域中的元件分离部(6a)的深度(d1)小于周围电路区域中的上述元件分离部(6b)的深度(d2)，记忆体单元区域中的元件分离部(6a)的分离高度(h1)和周围电路区域中的元件分离部(6b)的分离高度(h2)几乎相同。藉此，可提高半导体装置的信赖度。