发明名称 使用具有嵌合凸块之中介层之覆晶接合方法
摘要 本发明系关于一种使用具有嵌合凸块之中介层之覆晶接合方法,包括:(a)提供一第一元件,该第一元件具有一第一表面;(b)形成一中介层于该第一表面上;(c)形成复数个开口于该中介层上;(d)形成复数个凸块于该等开口内,其中该等凸块之高度小于该等开口之深度;(e)提供一第二元件,具有复数个预锡球;及(f)压合该第一元件与该第二元件,且使该等预锡球容置于该等开口内而与该等凸块连接。藉此,利用该凸块与该预锡球间之自行对位能力,可避免该第一元件及该第二元件间产生偏移现象。
申请公布号 TW200614321 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW093132044 申请日期 2004.10.21
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 何铭伦;锺智明
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号