发明名称 高速记忆体资料流动之控制方法
摘要 一种高速记忆体资料流动之控制方法,主要可改善记忆体装置内的存取周期时间,该记忆体装置具有待命、读取以及写入三个运作状态;首先于待命状态期间,资料线路予以预充电,再于写入状态时,资料线路不进行预充电,然后,于读取状态时,该资料线路同样不进行预充电,从写入状态过渡至读取状态期间,资料线路进行预充电。
申请公布号 TW200613972 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW093132966 申请日期 2004.10.29
申请人 钰创科技股份有限公司 发明人 袁德铭;沈俊吉
分类号 G06F12/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人 吴修闸
主权项
地址 新竹市科学园区科技五路6号