| 摘要 |
〔解决手段〕实质提供一种晶片尺寸的半导体装置，其包括：具有积体电路及连接垫(2)的半导体基板(1)；电性连接于上述连接垫(2)的外部连接用电极(9)；设于上述外部连接用电极(9)周围之上述半导体基板(1)上的第1封装材(10)，而上述第1封装材(10)内所含有的Na离子、K离子、Ca离子及Cl离子的各杂质浓度为10ppm以下；及设于上述半导体基板(1)之下面及周侧面的至少任一处的第2封装材(12)，而上述第2封装材(12)内所含有的Na离子、K离子、Ca离子及Cl离子的合计杂质浓度为100ppm以上。 |
