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乾蚀刻介电层之方法
摘要
一种乾蚀刻介电层的方法,可防止或大幅降低深紫外线对光阻之损害及鸟嘴问题的产生。此乾蚀刻方法至少包含下列步骤。提供一具有介电层之基材,介电层覆盖于基材之至少部份表面上。再将具有一曝光区域图案之深紫外线光阻幕罩,形成在介电层至少一部份上。并以混合气体所形成之电浆蚀刻受遮蔽的介电层,混合气体包含有气体氟化物、氢及氦。
申请公布号
TW200614364
申请公布日期
2006.05.01
申请号
TW094102055
申请日期
2005.01.24
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
蔡明桓;颜丰裕;陶宏远
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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