发明名称 乾蚀刻介电层之方法
摘要 一种乾蚀刻介电层的方法,可防止或大幅降低深紫外线对光阻之损害及鸟嘴问题的产生。此乾蚀刻方法至少包含下列步骤。提供一具有介电层之基材,介电层覆盖于基材之至少部份表面上。再将具有一曝光区域图案之深紫外线光阻幕罩,形成在介电层至少一部份上。并以混合气体所形成之电浆蚀刻受遮蔽的介电层,混合气体包含有气体氟化物、氢及氦。
申请公布号 TW200614364 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094102055 申请日期 2005.01.24
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡明桓;颜丰裕;陶宏远
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号