具有抑制铜迁移作用的半导体元件

摘要

一种半导体元件，包含：一半导体基板；形成于该半导体基板上之多数个电路区域，该电路区域包括在一多重供应电压下驱动之电路；形成于该半导体基板上方之介层绝缘膜或膜；包埋于该介层绝缘膜或膜中之铜布线，相同层之相邻布线间之一最小布线间隔系使得相邻布线间之因一所施加之电压差异而造成的一电场至多为0.4 MV／cm；以及一形成于该介层绝缘膜上之铜扩散防止膜，其覆盖该铜布线之一上表面。一依据新发现之布线之时间取决故障率的知识而提供之半导体元件，其具有可达成长期之高可信度的铜布线。