处于深度关机模式的记忆体晶片之内部功率管理架构

摘要

本发明叙述一种用于记忆体晶片之深度关机模式的方法，其中电压调整器(voltage regulator)及电荷帮浦(chargepump)电路会关闭、记忆单元电压会浮接、以及支援电路内部电源供应电压系由从外部晶片电压所得到的电压来取代。在进入深度关机模式之前，所有记忆单元会进入预充状态(precharge state)，在进入深度关机模式之后，记忆单元电压会浮接。可使外部所得到电压连接至支援电路电源供应电压线之通过电路系由深度关机讯号来控制。当记忆体晶片离开深度关机模式时，保持支援电路上的电压偏压可防止栓锁(latch up)问题产生。