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发明名称
形成半导体结构的方法
摘要
本发明提供一种在氮气或其他厌氧气体中,对铜晶种层进行表面处理进而改善铜电镀品质的方法。另一种改善方式是利用抛光处理来加强铜晶种层的可镀性。再一种改善方式是将晶种层在高温中退火,或是在室温下作长时间退火。还有一种改善方式是将晶种层暴露于具有表面活性剂与化学成分的溶液中,将污染物溶解。晶种层的沉积可调整成一种更适合电镀的表面型态,而后续对晶种层的表面处理,可改善镀覆其上铜金属层的品质。
申请公布号
TW200614381
申请公布日期
2006.05.01
申请号
TW094115194
申请日期
2005.05.11
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
林俊宏;黄鸿仪;范彧达
分类号
H01L21/324
主分类号
H01L21/324
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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