半导体装置的制造方法

摘要

本发明系一种半导体装置之制造方法，具有：将藉由药液蚀刻矽基板表面后所形成之氧化矽膜加热并薄膜化的薄膜化步骤；以及加热薄膜化后之氧化矽膜，并藉由至少含有氧的气体来氧化的热氧化步骤，或藉由电浆放电后之至少含有氧的气体来氧化薄膜化后之氧化矽膜的氧化步骤。