| 主权项 |
1.一种液晶装置,其特征系具备:所对向配置之第1 及第2基板,和于前述第1基板配置成矩阵状,于邻接 之画素相互对基准电压,施加反极性之驱动电压之 复数画素电极,和设置于前述第2基板之共通电极, 和挟持于前述第1基板及第2基板间之光电物质,和 形成于前述第2基板,进行相同配向处理之第2配向 膜,和对形成于前述第1基板之配向材料,于前述光 电物质受到藉由前述反极性之驱动电压而产生于 邻接之前述画素电极间之电场影响之领域,且前述 画素电极1边缘之附近带状领域,和于其他领域,为 了为不同之配向处理状态所形成之第1配向膜。 2.如申请专利范围第1项所记载之液晶装置,其中, 前述配向材料系进行配向处理同时成膜。 3.如申请专利范围第1项或第2项之任一项所记载之 液晶装置,其中,前述第1配向膜于前述带状领域中, 为了发现相较于前述其他领域较为高之预倾斜角, 进行配向处理。 4.如申请专利范围第3项所记载之液晶装置,其中, 对前述带状领域之配向处理,系于开口领域内中, 为了发现不产生反倾斜之预倾斜角。 5.如申请专利范围第1项所记载之液晶装置,其中, 前述画素电极为平坦化处理。 6.如申请专利范围第3项所记载之液晶装置,其中, 前述画素电极1边缘之附近带状领域,于前述画素 电极之各边缘中,前述光电物质之预倾斜角方向与 前述横向电场方向之角度差,产生于最大边缘。 7.一种液晶装置之制造方法,其特征系具备:于形成 于对向配置于第1基板之第2基板上共通电极上,形 成配向处理之第2配向膜之工程,和于前述第1基板 配置成矩阵状,于邻接之画素相互对基准电压,于 施加反极性之驱动电压之复数画素电极上,于前述 光电物质受到藉由前述反极性之驱动电压而产生 于邻接之前述画素电极间之电场影响之领域,且前 述画素电极1边缘之附近带状领域,和于其他领域, 进行配向处理同时,于前述带状领域中,形成可发 现相较于其他领域较为高之预倾斜角之第1配向膜 之工程。 8.如申请专利范围第7项所记载之液晶装置之制造 方法,其中,形成前述第1配向膜之工程,系藉由复数 次之配向处理而于前述带状领域中,发现相较于前 述其他领域较为高之预倾斜角。 9.如申请专利范围第7项所记载之液晶装置之制造 方法,其中,形成前述第1配向膜之工程,系具备:于 成膜厚将配向材料于前述配向材料之全面,进行相 同之配向处理之第1工程,和于前述配向材料之前 述带状材料或其他领域之其中一方,进行配向处理 之第2工程。 10.如申请专利范围第7项所记载之液晶装置之制造 方法,其中,形成前述第1配向膜之工程,具备于前述 第1基板上,进行相同之配向处理,同时成膜之第1工 程,和于前述膜上之前述带状领域或其他领域之其 中一方,进行配向处理之第2工程。 11.如申请专利范围第7项所记载之液晶装置之制造 方法,其中,形成前述第1配向膜之工程,具备于配向 材料之前述带状领域或其他领域之其中一方,进行 配向处理之第1工程,和于前述第1工程中,于未配向 处理之前述其他领域或带状领域,进行不同于前述 第1工程之配向处理之第2工程。 12.如申请专利范围第7项所记载之液晶装置之制造 方法,其中,成膜前述第1配向膜之工程,具备前述第 1基板上之前述带状领域或其他领域之其中一方, 进行配向处理,同时,成膜之第1工程,和于前述第1 工程中,于未成膜之前述其他领域或带状领域,形 成藉由不同于前述第1工程之配向处理所产生的膜 之第2工程。 13.如申请专利范围第7项所记载之液晶装置之制造 方法,其中,形成前述第1配向膜之工程,系组合2次 以上研磨处理,离子光束处理及菱形蒸着法之各处 理,于前述带状领域中,相较于前述其他领域发现 较高之预倾斜角。 14.如申请专利范围第7项所记载之液晶装置之制造 方法,其中,成膜前述第1配向膜之工程,系组合菱形 蒸着处理和菱形蒸着处理或离子光束处理,于前述 带状领域中,相较于其他领域发现较高之预倾斜角 。 15.一种电子机器,其特征系使用申请专利范围第1 项或第2项之任一项之液晶装置所构成。 16.一种电子机器,其特征系利用藉由申请专利范围 第7项至第14项之任一项之液晶装置之制造方法,所 制造之液晶装置而构成。 图式简单说明: 图1为表示本发明之实施形态之液晶装置之模式平 面图。 图2为表示从形成于上面之各构成要素及对向基板 侧观察本实施形态之液晶装置之平面图。 图3为表示贴合主动矩阵基板之TFT基板和对向基板 ,而密封液晶之组立工程结束之液晶装置,以图2之H -H'线位置切断之剖面图。 图4为表示于构成本实施形态之液晶装置之画素领 域之复数画素之各种元件,配线等之等效电路图。 图5为详细表示图1至图4之液晶装置之画素构造剖 面图。 图6为表示液晶装置之组立工程之流程图。 图7为表示本实施形态之配向处理之流程图。 图8为表示研磨与预倾斜之关系图表。 图9为表示离子束子照射与预倾斜之关系图表。 图10为表示斜方蒸着与预倾斜之关系图表。 图11为表示投射型彩色显示装置之说明图。 图12为模式化表示于无施加电压时之液晶分子之 预倾斜及横向电场之影响说明图。 |
