| 主权项 |
1.一种电极隔离壁,主要系在一已形成一横条状之 第一电极之基板上,形成一与第一电极垂直用以隔 断第二电极之电极隔离壁结构,其特征在于: 该电极隔离壁系由无机介电材料形成,且剖面成T 形之结构。 2.如申请专利范围第1项所述之电极隔离壁,其中该 无机介电材料系可择自二氧化矽基(SiO2-based)、矽 氧烷基(Siloxane-based)、矽化氮基(SiN)及陶瓷类( ceramic-like)等材质其中之一。 3.一种电极隔离壁之制作方法,主要系在一已形成 一横条状之第一电极之基板上,形成一与第一电极 垂直用以隔断第二电极之电极隔离壁结构,制作流 程为: a)于一涂布感光性光阻层之基板上,在欲形成电极 隔离壁处利用一第一光罩,经蚀刻制程制作出遮罩 ; b)以镀膜方式沉积一层具电性绝缘的无机介电薄 膜,来作为电极隔离壁的基底; c)以剥离(Lift-off)法除去该遮罩,得一无机膜构成柱 状结构之基底; d)再用光阻层覆盖该基板上,及沉积一层无机薄膜 33于该光阻层上,再涂布另一光阻层于该无机薄膜 上; e)使用一第二光罩经蚀刻制程于该光阻层形成一 凹槽(trough)后,用蚀刻方式去除该凹槽底部之无机 薄膜33,再以乾蚀刻方式蚀刻该凹槽下方外露之光 阻层,直到埋于光阻层内之柱状基底露出需要的高 度为止; f)沉积一层无机薄膜至凹槽,形成一包覆该基底露 出部分之上盖; g)以剥离(Lift-off)法除去该光阻层、无机薄膜及光 阻层,即完成一由基底及上盖组合之剖面成T形结 构之电极隔离壁。 4.如申请专利范围第3项所述之制作方法,其中该镀 膜方式系可为物理气相沉积(PVD)法、化学气相沉 积(CVD)法择其一。 5.如申请专利范围第3项所述之制作方法,其中该无 机介电薄膜材料系可择自二氧化矽基(SiO2-based)、 矽氧烷基(Siloxane-based)、矽化氮基(SiN)及陶瓷类( ceramic-like)等材质其中之一。 6.如申请专利范围第3项所述之制作方法,其中该凹 槽位于该基底正上方。 7.如申请专利范围第3项所述之制作方法,其中该凹 槽宽度大于该基底宽度。 图式简单说明: 第1图,系本发明之电极隔离壁之剖面示意图。 第2图~第10图,系本发明之电极隔离壁制作流程之 剖面示意图。 |
