| 主权项 |
1.一种具中央焊垫之多晶片堆叠封装结构,其系包 含有: 一承载基板,其系具有一上表面与一下表面; 一下晶片,其系具有一主动面与一背面,该下晶片 系以该主动面向上黏设于该承载基板之该上表面, 该下晶片之该主动面形成有复数个记忆区块,该些 记忆区块周边设有复数个中央焊垫与复数个周边 焊垫; 至少一中介电路板,其系设于该下晶片之该主动面 ,该中介电路板系具有复数个线路; 复数个第一焊线,其系连接该下晶片之该些中央焊 垫与该中介电路板; 复数个第二焊线,其系连接该中介电路板与该承载 基板之该上表面,使该下晶片与该承载基板电性连 接; 复数个第三焊线,其系连接该下晶片之该些周边焊 垫与该承载基板;及 一上晶片,其系设于该中介电路板上。 2.如申请专利范围第1项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其中该下晶片之该些中央焊垫系 为多排排列。 3.如申请专利范围第1项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其中该中介电路板系具有一上表 面与一下表面,该中介电路板之该上表面形成有一 防焊层,该防焊层之厚度系为20至100m。 4.如申请专利范围第3项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其中该些线路系形成于该中介电 路板之该上表面。 5.如申请专利范围第3项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其中该中介电路板形成有至少一 开口,其系贯穿该中介电路板之该上表面与该中介 电路板之该下表面。 6.如申请专利范围第5项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其中该中介电路板之该开口系为 长槽形。 7.如申请专利范围第1项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其中该上晶片系与该下晶片具有 相同之尺寸与记忆体容量。 8.如申请专利范围第1项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其中该上晶片系具有一主动面与 一背面,且该上晶片之该背面形成有一绝缘层。 9.如申请专利范围第1项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其另包含有一封胶体,其系密封 该上晶片与该下晶片。 10.如申请专利范围第1项所述之具中央焊垫之多晶 片堆叠封装结构,其另包含有复数个焊球,其系植 接于该承载基板之该下表面。 11.一种具中央焊垫之多晶片堆叠封装结构,其系包 含有: 一承载基板,其系具有一上表面与一下表面; 一下晶片,其系具有一主动面与一背面,该下晶片 系以该主动面向上黏设于该承载基板之该上表面, 该下晶片之该主动面设有复数个中央焊垫; 至少一中介电路板,其系设于该下晶片之该主动面 ,该中介电路板系具有复数个线路; 复数个第一焊线,其系连接该下晶片之该些中央焊 垫与该中介电路板;及 一上晶片,其系设于该中介电路板上。 12.如申请专利范围第11项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其中该下晶片之该些中央焊垫 系为多排排列。 13.如申请专利范围第11项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其中该中介电路板系具有一上 表面与一下表面,该中介电路板之该上表面形成有 一防焊层,该防焊层之厚度系为20至100m。 14.如申请专利范围第13项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其中该些线路系形成于该中介 电路板之该上表面。 15.如申请专利范围第11项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其中该中介电路板形成有至少 一开口,其系贯穿该中介电路板之该上表面与该中 介电路板之该下表面。 16.如申请专利范围第15项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其中该中介电路板之该开口系 为长槽形。 17.如申请专利范围第11项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其中该上晶片系与该下晶片具 有相同之尺寸与记忆体容量。 18.如申请专利范围第11项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其中该上晶片系具有一主动面 与一背面,且该上晶片之该背面形成有一绝缘层。 19.如申请专利范围第11项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其另包含有一封胶体,其系密 封该上晶片与该下晶片。 20.如申请专利范围第11项所述之具中央焊垫之多 晶片堆叠封装结构,其另包含有复数个焊球,其系 植接于该承载基板。 图式简单说明: 第1图:依据本发明之第一具体实施例,一种具中央 焊垫之多晶片堆叠封装结构之截面示意图; 第2图:依据本发明之第一具体实施例,该具中央焊 垫之多晶片堆叠封装结构之上视示意图; 第3图:依据本发明之第一具体实施例,其包含之下 晶片之记忆区块与焊垫之示意图; 第4图:依据本发明之第二具体实施例,一种具中央 焊垫之多晶片堆叠封装结构之截面示意图;及 第5图:依据本发明之第二具体实施例,该具中央焊 垫之多晶片堆叠封装结构之上视示意图。 |
