| 主权项 |
1.一种能依一温度变化而执行一再新动作之半导 体记忆元件,包含: 一温度感测装置,用以测量温度并利用该测得温度 产生一温控电压与一参考电流; 一类比数位转换装置,用以依该参考电流将该温控 讯号转换成一N位元数位讯号;及 一再新控制装置,根据该N位元数位讯号以产生一 再新讯号, 其中该再新讯号之周期依据该N位元数位讯号所控 制。 2.如申请专利范围第1项之半导体记忆元件,其中该 温度感测装置包含: 一第一温度感测单元,用以产生一第一电流,该第 一电流在该测得温度下降时增加,并在该测得温度 增加时下降。 3.如申请专利范围第2项之半导体记忆元件,其中该 温度感测装置更包含: 一第二温度感测单元,用以产生一第二电流,该第 二电流在该测得温度增加时增加,并在该测得温度 下降时下降;及 一参考电流产生单元,用以产生该参考电流,且该 参考电流为该第一电流及该第二电流之总电流。 4.如申请专利范围第3项之半导体记忆元件,其中该 第一温度感测单元包含: 一第一单元温度感测器,包含一电阻,该电阻用以 在该测得温度改变时产生一第一电压,且该第一电 压具有一恒定电压位准; 一第二单元温度感测器,包含一双载子电晶体,该 双载子电晶体用以产生一第二电压,且该第二电压 在该测得温度增加时下降; 一比较器,用以比较该第一电压及该第二电压之电 压位准;及 一输出单元,用以依该比较器之比较结果产生该第 一电流。 5.如申请专利范围第3项之半导体记忆元件,其中该 第二温度感测单元包含: 一第一单元温度感测器,包含一电阻及一第一双载 子电晶体; 一第二单元温度感测器,包含一第二双载子电晶体 ;及 一比较器,用以比较一输入至该第一双载子电晶体 之电压及一输入至该第二双载子电晶体之电压。 6.如申请专利范围第3项之半导体记忆元件,其中该 第一温度感测单元包含: 一第一MOS电晶体,其一侧连接至一电源供应电压; 一第一电阻,连接于该第一MOS电晶体及一地电压之 间; 一第二MOS电晶体,其闸极连接至该第一MOS电晶体之 一闸极; 一第一双载子电晶体,其连接于该第二MOS电晶体及 该地电压之间; 一第一运算放大器,其第一输入端、第二输入端及 一输出端分别连接至该第一MOS电晶体、该第二MOS 电晶体及该第一与第二MOS电晶体之闸极; 一第三MOS电晶体,其闸极连接至该第一及第二MOS电 晶体之闸极;及 一第二电阻,连接于该第三MOS电晶体及该地电压之 间, 其中该第一电流由该第三MOS电晶体及该第二电阻 输出。 7.如申请专利范围第6项之半导体记忆元件,其中该 温控电压产生单元包含: 一第四MOS电晶体,连接至该电源供应电压; 一第三及一第四电阻,串接连接至该第四MOS电晶体 及该地电压;及 一第二运算放大器,其第一输入端、一第二输入端 与一输出端分别连接至一该第二电阻、一该第三 及第四点间之节点及一该第四MOS电晶体之闸极, 其中该温控电压自一该第四MOS电晶体及该第三电 阻间之节点处输出。 8.如申请专利范围第7项之半导体记忆元件,其中该 第二温度感测单元包含: 一第五MOS电晶体,连接至该电源供应电压; 一第五电阻,连接至该第五MOS电晶体; 一第二双载子电晶体,连接于该第五电阻及该地电 压之间; 一第六MOS电晶体,其闸极连接至该第五MOS电晶体之 一闸极; 一第三双载子电晶体,连接于该第六MOS电晶体及该 地电压之间;及 一第三运算放大器,其第一输入端、一第二输入端 及一输出端分别连接至该第五电阻、该第六MOS电 晶体之一端及该第六MOS电晶体之一闸极。 9.如申请专利范围第8项之半导体记忆元件,其中该 参考电流产生单元包含: 一第七MOS电晶体,其闸极连接至该第五及该第六MOS 电晶体之闸极; 一第八MOS电晶体,其闸极连接至该第一至该第三MOS 电晶体之闸极;及 一第九MOS电晶体,连接于该第七及该第八MOS电晶体 之汲极与该地电压之间。 10.如申请专利范围第1项之半导体记忆元件,其中 该温度感测装置包含: 一温度感测单元,用以产生一温控电流,该温控电 流在该测得温度增加时增加,并在该测得温度降低 时降低;及 一温控电压产生单元,用以根据该温控电流产生该 温控电压。 11.如申请专利范围第10项之半导体记忆元件,其中 该温度感测装置包含: 一电阻; 一第一单元温度感测器,包含一第一双载子电晶体 ,且该第一双载子电晶体连接至该电阻; 一第二单元温度感测器,包含一第二双载子电晶体 ;及 一比较器,用以比较一输入至该第一双载子电晶体 之电压及该第二双载子电晶体。 12.如申请专利范围第1项之半导体记忆元件,其中 该再新控制装置包含: 一再新运算振荡器单元,用以依该N位元数位讯号 之第一预定位元产生一频控时脉讯号;及 一除频器,用以产生该再新讯号,依据该N位元数位 讯号之第二预定位元对该频控时脉讯号加以除频 之方式产生之。 13.如申请专利范围第12项之半导体记忆元件,其中 该再新运算振荡器单元包含: 一时脉振荡参考电流产生单元,用以产生一时脉振 荡参考电流;及 一环振荡器,用以依该时脉振荡参考电流产生该频 控时脉讯号。 14.如申请专利范围第13项之半导体记忆元件,其中 该时脉振荡参考电流产生单元包含: 一电流镜单元,用以产生一操作电流,藉镜映该时 脉振荡参考电流之方式产生; 复数个第一MOS电晶体,依该N位元数位讯号之该第 一预定位元控制该时脉振荡参考电流之电流强度; 及 一第二MOS电晶体,用以传送该操作电流至一地电压 。 15.如申请专利范围第14项之半导体记忆元件,其中 该环振荡器包含复数个串接之反相器,其中该复数 个反相器之一最后一反相器之一输出讯号输入至 该复数个反相器之一第一反相器之一输入端。 16.如申请专利范围第15项之半导体记忆元件,其中 该复数个反相器之每一者皆包含: 一第三MOS电晶体,连接至一电源供应电压,用以镜 映该时脉振荡参考电流; 一第四MOS电晶体,其闸极连接至该第二MOS电晶体, 用以镜映该时脉振荡参考电流;及 一第五及一第六MOS电晶体,彼此串接并连接于该第 三及该第四MOS电晶体之间。 17.如申请专利范围第16项之半导体记忆元件,其中 该类比数位装置包含: 一电压比较器,用以比较该温控电压及一内部电压 ; 一二进位上下计数器,用以增加或降低该N位元数 位讯号之一数位値; 一码转换单元,用以转换该N位元数位讯号之第一 预定位元成为一温度计码; 一延迟单元,用以在该码转换单元转换该N位元数 位讯号之第一预定位元时,延迟该N位元数位讯号 之第二预定位元之一时间周期; 一片段数位类比转换器,用以转换该温度计码成为 一第一类比讯号; 一二进位数位类比转换器,用以转换该延迟单元之 一输出讯号成为一第二类比讯号;及 一电压转换装置,用以转换该第一及该第二类比讯 号成为该内部电压。 18.如申请专利范围第17项之半导体记忆元件,其中 该片段数位类比转换器及该二进位数位类比转换 器依该参考电流产生该第一及该第二类比讯号。 19.如申请专利范围第17项之半导体记忆元件,其中 该类比数位转换装置更包含一转换控制器,该转换 控制器用以在一外部致能讯号产生后致能/反致能 该电压比较器及该二进位上下计数器。 20.如申请专利范围第19项之半导体记忆元件,其中 该转换控制器包含: 一NAND闸,用以接收该外部致能讯号;及 复数个反相器,彼此间相串接,且其输出讯号输入 至该NAND闸。 21.一种能执行一再新动作之半导体记忆元件,其包 含: 一温度感测装置,用以测量温度及依该测得温度产 生一温控电压及一参考电流;及 一压控振荡器,用以依该温控电压产生一再新讯号 , 其中该再新讯号之周期为该温控电压所控制。 22.如申请专利范围第21项之半导体记忆元件,其中 该温度感测装置包含: 一温度感测单元,用以产生一温控电流,该温控电 流在该测得温度增加时增加,并在该测得温度降低 时降低;及 一温控电压产生单元,用以根据该温控电流产生该 温控电压。 23.如申请专利范围第22项之半导体记忆元件,其中 该温度感测单元包含: 一第一MOS电晶体,其一侧连接至一电源供应电压; 一第一电阻,连接于该第一MOS电晶体及一地电压之 间; 一第二MOS电晶体,其闸极连接至该第一MOS电晶体之 闸极; 一第一双载子电晶体,连接于该第二MOS电晶体及该 地电压之间; 一第一运算放大器,其第一输入端、第二输入端及 一输出端分别连接至该第一MOS电晶体、该第二MOS 电晶体及该第一与该第二MOS电晶体; 一第三MOS电晶体,其闸极连接至该第一及该第二MOS 电晶体之闸极; 一第二电阻,连接于该第三MOS电晶体及该地电压之 间, 其中该第一电流由该第三MOS电晶体及该第二电阻 输出。 24.如申请专利范围第23项之半导体记忆元件,其中 该温控电压产生单元包含: 一第四MOS电晶体,连接至该电源供应电压; 一第三及一第四电阻,串接于该第四MOS电晶体及该 地电压之间;及 一第二运算放大器,其第一输入端、一第二输入端 及一输出端分别连接至该第二电阻,该第三及该第 四电阻间一节点及该第四MOS电晶体之闸极, 其中该温控电压由该第四MOS电晶体及该第三电阻 间一节点输出。 25.如申请专利范围第21项之半导体记忆元件,其中 该温度感测装置包含: 一温度感测单元,用以产生一温控电流,该温控电 流在该测得温度增加时增加,并在该测得温度降低 时降低;及一温控电压产生单元,用以根据该温控 电流产生该温控电压。 26.如申请专利范围第25项之半导体记忆元件,其中 该温度感测单元包含: 一电阻; 一第一单元温度感测器,包含一第一双载子电晶体 ,该第一双载子电晶体连接至该电阻; 一第二单元温度感测器,包含一第二双载子电晶体 ;及 一比较器,用以比较一输入至该第一双载子电晶体 及该第二双载子电晶体之电压的电压位准。 27.一种在一半导体记忆元件中产生一再新讯号之 方法,其包含下列步骤: (a)测量该半导体记忆元件之温度; (b)产生一温控电压,依该测得温度产生; (c)产生一N位元数位讯号,依该温控电压产生;及 (d)产生一再新讯号,其频率为该N位元数位讯号所 决定。 28.一种在一半导体记忆元件中产生一再新讯号之 方法,其包含下列步骤: (a)测量该半导体记忆元件之温度; (b)产生一温控电压,依该测得温度产生; (c)产生一N位元数位讯号,依该温控电压产生; (d)产生一再新讯号,其频率为该N位元数位讯号所 决定;及 (e)执行该再新动作,依该再新讯号产生。 图式简单说明: 第1图为一温度变化及一再新周期间之关系图; 第2图为一传统半导体记忆元件之方块图; 第3图为第2图中一温度感测器之电路示意图; 第4A图及第4B图为第3图中一温度感测器之操作时 序图; 第5图为本发明之半导体记忆元件第一实施例之方 块图; 第6图为第5图中一温度感测器一温度感测器之电 路示意图; 第7图为第5图中一类比数位转换器之方块图; 第8图为第7图中一转换控制器之电路示意图; 第9图为第5图中一再新控制器之方块图; 第10图为第9图中一再新操作振荡单元之电路示意 图;及 第11图为本发明之半导体记忆元件第二实施例之 电路图。 |
