| 主权项 |
1.一种基板之化学机械研磨用之研浆,该基板包含: 一具有凹部之绝缘膜;形成于该绝缘膜上,并作为 埋入式金属膜之钽系金属膜;以及一将凹部填满之 导电金属膜,该导电金属膜为一铜膜或是一铜合金 膜,该研浆包含:一矽土研磨料、一氧化剂、一抗 氧化剂、以及下列化学式(1)表示之羧酸: 其中,n=0、1、2、或3,而R1及R2则依其所键结之碳原 子各自独立,表示氢原子、-OH、或-COON;或是化学式 (2): 其中,R3及R4系各自独立,表示氢原子或-OH, 其中该羧酸系从由草酸、丙二酸、酒石酸、苹果 酸、戊二酸、柠檬酸、以及马来酸(顺式丁烯二酸 )所构成之群组中至少选出一种以上,且该抗氧化 剂包含苯并三唑或其衍生物;且 该研浆之pH=4-8,而且该研浆成分被控制,俾使该钽 系金属膜与该绝缘膜之研磨速率比至少为10:1。 2.如申请专利范围第1项之基板之化学机械研磨用 之研浆,其中该羧酸的含量为0.01-1wt%。 3.如申请专利范围第1项之基板之化学机械研磨用 之研浆,其中该矽土研磨料之含量为1-30wt%。 4.如申请专利范围第1项之基板之化学机械研磨用 之研浆,其中该研浆成分被控制,俾使该导电金属 膜与该钽系金属膜之研磨速率比介于0.9:1与3:1之 间。 图式简单说明: 图1(a)到图1(d)之制程横剖面图说明习知技术中用 以形成一埋入铜配线之方法。 图2显示使用一习知化学机械研磨用研浆所形成之 铜配线之剖面形状。 |
