| 主权项 |
1.一种沈积机台,至少包括: 一元件承载台,该元件承载台具有多数个孔洞; 一元件支撑台,位于该元件承载台下方;以及 多数个顶针(Lift Pin),固设于该元件支撑台,且该些 顶针适于穿过该些孔洞。 2.如申请专利范围第1项所述之沈积机台,其中该些 顶针锁固于该元件支撑台。 3.如申请专利范围第1项所述之沈积机台,其中该些 顶针的材质包括一耐热性材料。 4.如申请专利范围第3项所述之沈积机台,其中该耐 热性材料包括陶瓷。 5.如申请专利范围第1项所述之沈积机台,其中该元 件承载台为一晶圆承载台。 6.如申请专利范围第1项所述之沈积机台,其中该元 件支撑台为一晶圆支撑台。 7.一种沈积薄膜的方法,包括: 于一反应室中提供一沈积机台,该沈积机台至少包 括: 一元件承载台,该元件承载台具有多数个孔洞; 一元件支撑台,位于该元件承载台下方;以及 多数个顶针,固设于该元件支撑台,且该些顶针适 于穿过该些孔洞; 将一元件送入该反应室中; 将该元件支撑台提升至一第一高度,以使固设于该 元件支撑台上之该些顶针穿过该些孔洞,而使该元 件位于该些顶针上; 将该元件承载台提升至一第二高度,其中该第二高 度大于该第一高度,而使该元件位于该元件承载台 上;以及 进行一沈积制程,以于该元件上形成一薄膜。 8.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法,其 中该些顶针锁固于该元件支撑台。 9.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法,其 中该些顶针的材质包括一耐热性材料。 10.如申请专利范围第9项所述之沈积薄膜的方法, 其中该耐热性材料包括陶瓷。 11.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法, 其中该元件为一晶圆。 12.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法, 其中该沈积机台为一电浆加强型化学气相沈积机 台。 13.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法, 其中该元件承载台为一晶圆承载台。 14.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法, 其中该元件支撑台为一晶圆支撑台。 15.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法, 其中该薄膜之材质包括氧化矽或氮化矽。 16.如申请专利范围第15项所述之沈积薄膜的方法, 其中该薄膜之材质为氧化矽,且该沈积制程所使用 之气体源为四乙基矽酸酯(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate, TEOS)。 17.如申请专利范围第7项所述之沈积薄膜的方法, 其中在进行该沈积制程之后,更包括: 将该元件承载台降低至一第三高度,其中该第三高 度小于该第二高度,而使该元件位于固设于该元件 支撑台上之该些顶针上; 将该元件支撑台降低至一第四高度,其中该第四高 度小于该第三高度;以及 将该元件自该反应室中取出。 图式简单说明: 图1A至图1E是依照本发明一较佳实施例的一种沈积 薄膜之流程剖面示意图。 图2是图1A至图1E中的沈积机台之分解示意图。 |
