发明名称 基板处理装置及基板处理方法
摘要 本发明系藉移动机构一边由溶剂喷嘴吐出稀释剂,一边沿着基板每一边移动诸如来回2次或3次左右,只去除基板周缘部之光阻膜,使进行附着处理时所形成之藉 HMDS(六甲基二矽氮烷)气体所造成之处理膜露出。其次,藉光纤一边照射紫外线,一边沿着基板的每一边移动诸如来回2次或3次左右,除去只露出于基板周缘部之处理膜。藉此,使于露出基板周缘部之处理膜不会产生胺系气体,因此可防止曝光装置中曝光用透镜或镜片、以及其他机器类模糊白浊者。
申请公布号 TWI254193 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW092100629 申请日期 2003.01.13
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 牛岛满
分类号 G03F7/16 主分类号 G03F7/16
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种基板处理装置,系包含有: 一涂布膜除去机构,系用以朝形成有处理膜与业已 涂布于该处理膜之涂布膜之基板的基板周缘部吐 出溶剂,除去该周缘部之涂布膜者;及 一处理膜除去机构,系用以除去露出于业已移除上 述涂布膜之基板周缘部之上述处理膜者。 2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该处 理膜系藉黏附处理形成者。 3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该处 理膜除去机构系具有一构件,即,藉此构件以于上 述露出之处理膜上照射含有用以使上述涂布膜曝 光之曝光光线的波长成分之光。 4.如申请专利范围第3项之基板处理装置,其中该涂 布膜除去机构系具有: 一用以保持用以吐出上述溶剂之溶剂喷嘴之保持 构件;及, 一用以使上述保持构件沿着基板的周缘部而移动 之周缘移动机构; 而,藉上述周缘移动机构一边移动上述保持构件, 一边吐出上述溶剂。 5.如申请专利范围第4项之基板处理装置,系具有光 纤,该光纤系于上述保持构件与上述溶剂喷嘴一体 安装,以照射上述光者; 上述处理膜除去机构系藉上述周缘移动机构一边 移动上述保持构件,一边照射者。 6.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中该光 纤及该溶剂喷嘴系配置于约与上述保持构件的移 动方向平行者。 7.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其进而具 有: 正交方向移动机构,系用以令上述保持构件沿与上 述移动方向正交之方向上移动;及 除去用机构,系用以于除去位于上述周缘部之涂布 膜后,再藉上述正交方向移动机构,使上述保持构 件移动,以除去位于该周缘部之处理膜者。 8.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中该光 纤系较上述溶剂喷嘴远离基板而配置于基板外侧 者。 9.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其系更具 有一正交方向移动机构,藉此使上述保持构件沿与 上述移动方向正交之方向移动者; 而,一边藉上述周缘移动机构及正交方向移动机构 相互移动保持构件,一边除去上述周缘部之涂布膜 ,并逐一除去依序露出之处理膜者。 10.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其更具 有一用以朝上述光纤之投光面喷出洗净液之洗净 喷嘴。 11.如申请专利范围第10项之基板处理装置,其中该 洗净喷嘴系安装于上述保持构件。 12.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其更具 有一排气机构,以此使于除去上述处理膜时由该处 理膜产生之气体者。 13.如申请专利范围第12项之基板处理装置,其中该 排气机构系具有一乾燥构件,以该乾燥构件将业经 上述洗净喷嘴洗净后之光纤的投光面乾燥者。 14.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中该 光纤之投光面系形成为一边具有约与上述露出之 处理膜的宽度同一长度之矩形。 15.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中该 光纤之光照射系由与业已涂布上述涂布膜之基板 面相反的背面侧进行者。 16.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其系更 具有一用以加热上述基板周缘部之处理膜之机构 。 17.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该 处理膜除去机构系具有一用以于上述露出之处理 摸供给臭氧水之构件。 18.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中该 光纤系列设多数于与藉周缘移动机构而令上述保 持构件移动之移动方向不同之方向上。 19.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其安装 有2座以上之上述溶剂喷嘴在上述保持构件上,并 使上述2座以上之喷嘴处于夹带基板之状态者。 20.一种基板处理方法,系包含有以下步骤,即: 朝形成有处理膜及业已涂布于该处理膜上之涂布 膜之基板的基板周缘部吐出溶剂,除去该周缘部之 涂布膜;及 继而除去于业将上述涂布膜除去之基板周缘部所 露出之上述处理膜。 21.如申请专利范围第20项之基板处理方法,其中该 处理膜系藉黏附处理所形成者。 22.如申请专利范围第20项之基板处理方法,其中该 除去处理膜之步骤系于进行基板曝光处理之前施 行者。 23.如申请专利范围第20项之基板处理方法,其中该 除去处理膜之步骤系包含有一步骤,即,于该步骤 中,对上述所露出之处理膜照射含有上述曝光处理 中曝光用光线的波长成分之光者。 24.如申请专利范围第20项之基板处理方法,其更具 有一排气步骤,即,将于除去上述处理膜时该处理 膜所产生之气体排除者。 图式简单说明: 第1图系显示本发明一实施形态之涂布显像处理系 统之全体构成之俯视图。 第2图系第1图所示之涂布显像处理系统之前视图 。 第3图系第1图所示之涂布显像处理系统之后视图 。 第4图系显示一实施形态之光阻处理区间之俯视图 。 第5图系第4图所示之光阻处理区间之侧视图。 第6图系本发明一实施形态之边缘移除器之概略立 体图。 第7图系显示一实施形态之边缘移除器之剖视图。 第8图系第7图所示之边缘移除器之俯视图。 第9图系第7图所示之边缘移除器之前视图。 第10图系剖视图;(a)系显示基板周缘部之光阻膜除 去作用者;(b)系显示黏附处理之处理膜除去作用者 。 第11图系显示于移除器头装上气缸之状态的侧视 图。 第12(a)图系显示溶剂喷嘴与光纤间之位置关系之 俯视图;第12(b)图系显示该处理膜除去作用之侧视 图。 第13图系显示藉移除器头扫描基板周缘部之状态 的俯视图。 第14图系设有洗净喷嘴之移除器头之剖视图。 第15图系另一实施形态之边缘移除器之概略立体 图。 第16图系第15图所示之框状构件之剖视图。 第17图系显示加热器对于基板周缘部加热之加热 作用之立体图。 第18图系显示另一实施形态之光纤部分之放大立 体图。 第19图系另一实施形态之移除器头之剖视图。 第20图系另一实施形态之移除器头之俯视图。 第21图系另一实施形态之移除器头之剖视图。
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