| 主权项 |
1.一种光阻图案之形成方法,其特征为包含 (1)将正型光阻组成物涂布于基板上,形成涂膜之步 骤、 (2)将上述形成涂膜之基板,施行加热(预热,PB)处理, 在基板上形成光阻被膜之步骤、 (3)在上述光阻被膜上,形成防反射膜之步骤、 (4)使用对上述光阻被膜之2.0m以下的光阻图案形 成用、与2.0m以上的光阻图案形成用,两者之描 绘光罩图案的光罩,施行选择性曝光之步骤、 (5)在上述选择曝光后,将上述防反射膜去除之步骤 、 及(6)对上述选择曝光后之光阻被膜,以硷水溶液施 行显像处理,在上述基板上同时形成图案尺寸2.0 m以下之集成电路用的光阻图案、与超过2.0m之 液晶显示部份用的光阻图案之步骤。 2.如申请专利范围第1项之光阻图案之形成方法,其 中在上述(4)与(6)之间,对上述选择性曝光后之光阻 被膜,进行施以加热处理(曝光后加热,PEB)之步骤。 3.如申请专利范围第1或2项之光阻图案之形成方法 ,其中在上述步骤(6)之后,对上述光阻图案,进行施 行加热处理(后加热,post-bake)之步骤。 4.如申请专利范围第1项之光阻图案之形成方法,其 中上述正型光阻组成物,使用i线(365nm)用之酚醛清 漆-系的光阻材料。 5.如申请专利范围第1项之光阻图案之形成方法,其 中上述(4)施行选择性曝光之步骤,以i线为光源,而 且在NA为0.3以下之低NA条件下藉由曝光制程施行。 图式简单说明: 图1:为评估线性,将正型光阻组成物涂布于玻璃基 板,经加热乾燥、图案曝光后,以具有缝隙涂布喷 嘴之装置,将显像液由基板端部之X至Z喷浇基板满 布溶液之说明图。 |
