| 主权项 |
1.一种制造金属凸块之方法,该方法包含有下列步 骤: 提供一基底,该基底表面包含有至少一个接合垫金 属,以及一图案化之保护层覆盖于该基底表面并暴 露出该接合垫金属之部分表面; 形成一第一光阻层覆盖于该基底表面; 利用一光罩进行一黄光制程图案化该第一光阻层, 以暴露出部分之该保护层与该接合垫金属; 移除部分之该保护层,使得覆盖于该接合垫金属表 面之该保护层的厚度小于覆盖于该基底表面之该 保护层的厚度; 移除该第一光阻层;以及 利用该光罩进行一金属凸块化制程。 2.如专利范围第1项所述之方法,其中该保护层系由 一氧化层与一氮化矽层所组成,且该氮化矽层系覆 盖于该氧化层上方。 3.如专利范围第1项所述之方法,在移除部分之该保 护层之前,其中该保护层覆盖于该基底表面之厚度 约略等于该保护层覆盖于该接合垫金属表面之厚 度。 4.如专利范围第1项所述之方法,其中该接合垫金属 系为铝(Al)。 5.如专利范围第1项所述之方法,其中移除部分该保 护层的步骤系利用一湿蚀刻制程(wet etch process)。 6.如专利范围第1项所述之方法,其中该移除部分该 保护层的步骤系利用一乾蚀刻制程(dry etch process) 。 7.如专利范围第1项所述之方法,其中该金属凸块化 制程另包含有下列子步骤: 进行一凸块底层金属层(under bump metallurgy, UBM)制程 ,以于该基底表面形成一金属层; 形成一第二光阻层覆盖于该基底表面; 利用该光罩进行一黄光制程,以图案化该第二光阻 层; 利用图案化之该第二光阻层作遮罩,以于该基底表 面形成至少一个金属凸块(gold bump),且该金属凸块 系相对应设置于该接合垫金属之上; 移除该第二光阻层; 移除未被该金属凸块所覆盖之该金属层;以及 进行一热回火(thermal anneal)制程。 8.如专利范围第7项所述之方法,其中该金属层系由 一钛钨合金(TiW)金属层与一金(Au)金属层所组成。 9.如专利范围第7项所述之方法,其中该金属凸块系 由金(Au)所构成。 10.一种制造金属凸块之方法,该方法包含有下列步 骤: 提供一基底,该基底表面包含有复、数个接合垫金 属以及一图案化之保护层覆盖于该基底与该等接 合垫金属表面,且覆盖于该等接合垫金属为一凸起 之该保护层并暴露出该等接合垫金属之部分表面; 形成一第一光阻层覆盖于该基底表面; 利用一第一光罩进行一黄光制程图案化该第一光 阻层,以暴露出部分该凸起之该保护层与该等接合 垫金属; 移除部分之该保护层,以缩小覆盖于该等接合垫金 属表面之该保护层的厚度; 移除该第一光阻层;以及 利用一第二光罩进行一金属凸块化制程。 11.如专利范围第10项所述之方法,其中该保护层系 由一氧化层与一氮化矽层所组成,且该氮化矽层系 覆盖于该氧化层上方。 12.如专利范围第10项所述之方法,其中该接合垫金 属系为铝。 13.如专利范围第10项所述之方法,其中移除部分该 保护层的步骤系利用一湿蚀刻制程。 14.如专利范围第10项所述之方法,其中该移除部分 该保护层的步骤系利用一乾蚀刻制程。 15.如专利范围第10项所述之方法,其中该金属凸块 化制程另包含有下列子步骤: 进行一凸块底层金属层制程,以于该基底表面形成 一金属层; 形成一第二光阻层覆盖于该基底表面; 利用该第二光罩进行一黄光制程,以图案化该第二 光阻层; 利用图案化之该第二光阻层作遮罩,以于该基底表 面形成复数个金属凸块,且该等金属凸块系相对应 设置于该等接合垫金属之上; 移除该第二光阻层; 移除未被该等金属凸块所覆盖之该金属层;以及 进行一热回火制程。 16.如专利范围第15项所述之方法,其中该金属层系 由一钛钨合金金属层与一金金属层所组成。 17.如专利范围第15项所述之方法,其中该等金属凸 块系由金所构成。 图式简单说明: 第1图为习知金属凸块与封装基板接合之示意图。 第2图至第7图为根据本发明第一实施例之制造金 属凸块的方法示意图。 第8图至第10图为根据本发明第二实施例之制造金 属凸块的方法示意图。 |
