| 主权项 |
1.一种晶片结构,包括: 一基材; 一线路单元,配置于该基材上; 多数个焊垫,配置于该线路单元上; 一第一保护层,配置于该线路单元上,并暴露出该 些焊垫; 一重配置线路层,配置于该第一保护层上,其中该 重配置线路层系与该些焊垫电性连接,且该重配置 线路层为钛/铜/钛。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,更包括一 第二保护层,配置于该第一保护层与该重配置线路 层上,并暴露出部分该重配置线路层。 3.如申请专利范围第2项所述之晶片结构,其中该第 二保护层之材质包括聚醯亚胺(polyimide,PI)或苯并 环丁烯(benzocyclobutene,BCB)。 4.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,更包括: 多数个球底金属层,配置于第二保护层所暴露出之 该重配置线路层上;以及 多数个凸块,每一该些凸块系分别配置于该些球底 金属层其中之一上。 5.如申请专利范围第4项所述之晶片结构,其中每一 该些球底金属层包括铝/镍-钒合金/铜或镍-钒合金 /铜。 6.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该第 一保护层之材质包括二氧化矽或氮化矽。 7.一种晶圆结构,包括: 一基材; 多数个线路单元,配置于该基材上; 多数个焊垫,分别配置于该些线路单元其中之一上 ; 一第一保护层,配置于该些线路单元上,并暴露出 该些焊垫;以及 一重配置线路层,配置于该第一保护层上,其中该 重配置线路层系与该些焊垫电性连接,且该重配置 线路层为钛/铜/钛。 8.如申请专利范围第7项所述之晶圆结构,更包括一 第二保护层,配置于该第一保护层与该重配置线路 层上,并暴露出部分该重配置线路层。 9.如申请专利范围第8项所述之晶圆结构,其中该第 二保护层之材质包括聚醯亚胺(polyimide,PI)或苯并 环丁烯(benzocyclobutene,BCB)。 10.如申请专利范围第7项所述之晶圆结构,更包括: 多数个球底金属层,配置于第二保护层所暴露出之 该重配置线路层上;以及 多数个凸块,每一该些凸块系分别配置于该些球底 金属层其中之一上。 11.如申请专利范围第10项所述之晶圆结构,其中每 一该些球底金属层包括铝/镍-钒合金/铜或镍-钒合 金/铜。 12.如申请专利范围第7项所述之晶圆结构,其中该 第一保护层之材质包括二氧化矽或氮化矽。 图式简单说明: 图1绘示为本发明一实施例之晶圆片示意图。 图2绘示为本发明一实施例之晶片结构示意图。 |
