| 主权项 |
1.一种固态微发光元件阵列,包含: 一基板;及 复数相间隔设置于该基板的发光晶粒,每一发光晶 粒具有复数相间隔地设置于该基板上并分别具有 一围绕面的发光凸块,每一发光晶粒藉该等发光凸 块及该基板界定出复数相互交错的通道,每一发光 晶粒更具有一覆盖该基板及该等围绕面的绝缘体 及一形成于该绝缘体及该等发光凸块上的电流散 布层,致使该等发光凸块及该绝缘体被夹置于该电 流散布层及该基板之间。 2.依据申请专利范围第1项所述之固态微发光元件 阵列,其中,每一发光凸块是一凸柱及一环柱其中 一者。 3.依据申请专利范围第2项所述之固态微发光元件 阵列,其中,每一发光凸块是一凸柱。 4.依据申请专利范围第1项所述之固态微发光元件 阵列,其中,该基板具有一板本体及一形成于该板 本体上并被夹置于该板本体及该等发光晶粒之间 的电性导通贴合膜。 5.依据申请专利范围第4项所述之固态微发光元件 阵列,其中,该电性导通贴合膜具有至少一选自于 下列所构成之群组的金属层:金、铝、钛、锡、铂 、铟、银、铍及含金之合金。 6.依据申请专利范围第4项所述之固态微发光元件 阵列,其中,该板本体是由一选自于下列所构成之 群组的材料所制成:铜、含铜之合金、铜钨合金、 镍、含镍之合金、钨钼合金及经掺杂的矽。 7.依据申请专利范围第6项所述之固态微发光元件 阵列,其中,该板本体是由铜所制成。 8.依据申请专利范围第7项所述之固态微发光元件 阵列,其中,每一发光晶粒更具有至少一与该电流 散布层接触的第一接触电极,该基板更具有一夹置 于该电性专通贴合膜及该等发光晶粒之间的反射 膜。 9.依据申请专利范围第8项所述之固态微发光元件 阵列,其中,该反射膜具有至少一选自于下列所构 成之群组的金属层:铂、银、钛、金、铝、铟及钯 。 10.依据申请专利范围第6项所述之固态微发光元件 阵列,其中,该板本体是由经掺杂的矽所制成。 11.依据申请专利范围第10项所述之固态微发光元 件阵列,其中,每一发光晶粒更具有至少一与该电 流散布层接触的第一接触电极,该基板更具有一夹 置于该电性导通贴合膜及该等发光晶粒之间的反 射膜,及一接触该板本体的第二接触电极。 12.依据申请专利范围第11项所述之固态微发光元 件阵列,其中该反射膜具有至少一选自于下列所构 成之群组的金属层:铂、银、钛、金、铝、铟及钯 。 13.依据申请专利范围第1项所述之固态微发光元件 阵列,其中,每一发光晶粒的每一发光凸块具有一 夹置于该基板与该电流散布层之间的第一型半导 体层、一夹置于该第一型半导体层与该基板之间 的发光层,及一夹置于该发光层及该基板之间的第 二型半导体层。 14.依据申请专利范围第13项所述之固态微发光元 件阵列,其中,该第一型半导体层是一n型半导体层, 该第二型半导体层是一p型半导体层。 图式简单说明: 图1是一正视示意图,说明一并列设置之氮化铟镓 微发光二极体阵列; 图2是一局部立体示意图,说明本发明固态微发光 元件阵列的一第一较佳实施例; 图3是该第一较佳实施例之一正视示意图; 图4是一元件制作流程图,说明该第一较佳实施例 之前半段制作流程; 图5是延续该图4之一元件制作图,说明该第一较佳 实施例之后半段制作流程; 图6是一正视示意图,说明本发明固态微发光元件 阵列的一第二较佳实施例; 图7是一EL光谱强度变化量对老化时间曲线图,说明 本发明固态微发光元件阵列的EL光谱强度之信赖 性分析;及 图8是一顺向电压对老化时间曲线图,说明本发明 固态微发光元件阵列的顺向电压之信赖性分析。 |
