| 主权项 |
1.一种于电子元件上形成焊接区域之方法,系包括: (a)提供包含一个或一个以上之接触垫之基板;以及 (b)于该接触垫上施加锡膏,该锡膏包括载体(carrier vchicle)与包含金属粒子之金属成分, 其中该锡膏具有之固化温度(solidus temperature)系低 于会导致该锡膏熔化后再固化之固化温度。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中百分之50或以 上之该粒子系具有50奈米或以下之直径。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该金属及/ 或金属合金粒之平均直径系为30奈米或以下。 4.如申请专利范围第1或2项之方法,复包括: (c)于足以有效融化该锡膏之温度下加热该锡膏;以 及 (d)令该熔化物固化。 5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该基板包 含复数个接触垫以及复数个于该接触垫上相对应 之焊接区域。 6.如申请专利范围第1或2项之方法,复包含: (c)提供包含与该第一基板之一个或一个以上的接 触垫对应之一个或一个以上的接触垫之第二基板; 以及 (d)令该第一基板与第二基板相互接触,其中该第二 基板之接触垫系对准于第一基板之接触垫。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中于步骤(d)中该 第二基板接触垫系与该锡膏接触之,复包含: (e)于步骤(d)之后,于足以有效熔化该锡膏之温度下 加热该锡膏。 8.一种电子元件,系包括: (a)包含一个或一个以上之接触垫之基板;以及 (b)位于该接触垫上之锡膏,该锡膏包括载体与包含 金属粒子之金属成分, 其中该锡膏具有之固化温度系低于该会导致该锡 膏熔化后再固化之固化温度。 9.如申请专利范围第8项之电子元件,其中百分之50 或以上之该粒子系具有50奈米或以下之直径。 10.如申请专利范围第8或9项之电子元件,其中该基 板包含复数个接触垫以及于该接触垫上之对应焊 锡凸块。 图式简单说明: 第1(a)至(f)图系显示依据本发明于电子元件上以互 连凸块形式呈现之焊接区域的不同形成阶段之断 面图; 第2(a)及(b)图系显示依据本发明透过将具有以互连 凸块形式呈现之焊接区域的电子元件接置于基板 所形成之电子元件的不同形成阶段之断面图; 第3(a)至(f)图系显示依据本发明的另一种态样于电 子元件上之焊接区域的不同形成阶段之断面图;以 及 第4(a)及(b)图系显示依据本发明之另一态样将具有 焊接区域的电子元件接置于基板的不同形成阶段 之断面图。 |
