| 主权项 |
1.一种应用于积体电路之微型电感,包括: 具有一共平面带线之一半导体基板; 多数个MIM电容,该些MIM电容相互平行连接于该共平 面带线之一传输线间;以及 其中,连接该些MIM电容之该共平面带线更包括一交 叉型平面带线结构或一平移型平面带线结构。 2.如申请专利范围第1项所述之微型电感,其中该交 叉型平面带线结构系具有一种将该共平面带线从 中间部分交叉并将其反转之形状。 3.如申请专利范围第1项所述之微型电感,其中该平 移型平面带线结构系具有一种平移部分该共平面 带线并将其反转之形状。 4.如申请专利范围第1项所述之微型电感,其中该共 平面带线之末端系为短路。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之微型电 感,其中金属损失的区域系将该共平面带线具有之 部分金属线进行并接。 6.如申请专利范围第5项所述之微型电感,其中包括 使用一积体电路矽制程制造该微型电感。 7.一种应用于积体电路之微型电感之制作方法,包 括下列步骤: 提供一半导体基板; 于该半导体基板形成一共平面带线; 连接多数个MIM电容于该共平面带线之传输线间;以 及形成一将该共平面带线从中间部分交叉并反转 之形状。 8.如申请专利范围第7项所述之制作方法,其中该共 平面带线之末端系为短路。 9.如申请专利范围第7项所述之制作方法,其中金属 损失的区域系将该共平面带线具有之部分金属线 进行并接。 10.如申请专利范围第7项所述之制作方法,其中包 括使用一积体电路矽制程制造该微型电感。 11.一种应用于积体电路之微型电感之制作方法,包 括下列步骤: 提供一半导体基板; 于该半导体基板形成一共平面带线; 连接多数个MIM电容于该共平面带线之传输线间;以 及形成一将部分该共平面带线平移并反转之形状 。 12.如申请专利范围第11项所述之制作方法,其中该 共平面带线之末端系为短路。 13.如申请专利范围第11项所述之制作方法,其中金 属损失的区域系将该共平面带线具有之部分金属 线进行前接。 14.如申请专利范围第11项所述之制作方法,其中包 括使用一积体电路矽制程制造该微型电感。 图式简单说明: 第1图为传输线单截线阻抗匹配法之示意图; 第2图为根据本发明较佳实施例于CPS线加入MIM电容 器之示意图; 第3a~3d图为根据本发明较佳实施例之下线电感架 构示意图; 第4a~4d图为根据本发明较佳实施例之下线电感架 构示意图; 第5a图为根据本发明较佳实施例之交叉并反转之 CPS的等效模型示意图; 第5b图为根据本发明较佳实施例之平移并反转之 CPS的等效模型示意图; 第6a~6b图为根据本发明较佳实施例之两种折线方 式的架构示意图。 |
