发明名称 多晶片堆叠之制造方法
摘要 本发明揭示一种多晶片堆叠之制造方法。其利用覆晶接合之技术将至少两个品片堆叠在一起,上下层晶片间系利用凸块与凸块结合在一起。该下层晶片于覆晶接合时仍是存在整片晶圆上,并未被切割成独立的晶片,故可以整片晶圆作为封装制程的批次(batch)对象。
申请公布号 TWI254421 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW091104228 申请日期 2002.03.06
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 方仁广
分类号 H01L23/04 主分类号 H01L23/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种多晶片堆叠之制造方法,包含下列步骤: 提供复数个第一晶片; 提供一第二晶圆,该第二晶圆具有复数个第二晶片 ,每一该第二晶片分别具有复数个焊垫设于每一该 第二晶片之周边; 将复数个第一晶片分别覆晶接合于第二晶圆上之 复数个第二晶片,并暴露出每一该第二晶片之该焊 垫; 将底部充填胶注入该第一晶片及该第二晶片之覆 晶接合的空隙处; 在第二晶片之四周焊垫上形成外接凸块;及 切割该第二晶圆,使该复数组已结合的第二晶片及 第一晶片成为独立之单元。 2.如申请专利范围第1项之多晶片堆叠之制造方法, 其另包含将该底部充填胶烘烤硬化的步骤。 3.如申请专利范围第1项之多晶片堆叠之制造方法, 其另包含一液态封胶之步骤,其系将该第一晶片保 护在一胶体内。 4.如申请专利范围第1项之多晶片堆叠之制造方法, 其另包含在该第二晶片之非线路面打上正印之步 骤。 图式简单说明: 图1系一习知之多晶片堆叠封装件之制造流程图; 图2系本发明之多晶片堆叠封装件之制造流程图; 图3a系本发明之第一晶圆与第一晶片之示意图; 图3b系本发明之第二晶圆与第二晶片之示意图; 图4系本发明之第一晶片堆叠在第二晶圆上之示意 图;及 图5系本发明之多晶片堆叠封装件之一较佳实施例 之剖面示意图。
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路26号