用于电浆化学气相沉积的设备及使用此种设备制造半导体的方法

摘要

一种设备用以使用于电浆化学气相沉积(CVD)方法与一种使用此种设备用以制造半导体元件之方法被揭露，电浆CVD设备包含：一腔；一晶圆其底面以腔内之一静电区块被固定，且其上一绝缘层以电浆CVD制程被沉积；一冷却气体入口通过静电区块用以当电浆CVD制程被实施时，供应冷却气体至晶圆底面，；与一箝制手段当冷却气体被供应时，用以将晶圆固定至静电区块。