发明名称 具有多重掺杂布植之光电二极之影像感测器与像素感测器
摘要 本发明系揭露一种利用具有多种N型掺杂物之主动像素。上述像素包含形成于半导体基板中之光电二极体。光电二极体系为形成于P型区域内部之N^–区域。N^–区域系由砷布植与磷布植所构成。再者,像素包含一传递电晶体形成于光电二极体与浮置节点之间,并且将一讯号由光电二极体选择性的传递至节点。最后,像素包含一放大电晶体由浮置节点所控制。
申请公布号 TW200614531 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094135123 申请日期 2005.10.07
申请人 欧尼影像科技股份有限公司 发明人 霍沃德E. 罗德兹
分类号 H01L31/101;H01L21/265 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人 周信宏
主权项
地址 美国