| 摘要 |
本发明之半导体装置系于半导体基板上形成不同耐压的第1元件及第2元件者。更具体而言，该半导体装置包含有：半导体基板；第1领域，系该半导体基板上的领域，且具有第1元件形成领域者，该第1元件形成领域系藉着于形成于该半导体基板的沟渠内埋入绝缘物的元件分离部而被分离出者；第1元件，系被形成于前述第1元件形成领域者；第2领域，系与前述半导体基板上的上述第1领域不同的领域，且具有第2元件形成领域者；及第2元件，系比前述第1元件高耐压，且被形成于前述第2元件形成领域，并具有于闸极电极的端部配置比闸极绝缘膜厚的LOCOS氧化膜之漂移．汲极构造者。 |
