有机二氧化矽系膜之形成方法,有机二氧化矽系膜,布线构造体,半导体装置及膜形成用组成物

摘要

本发明的有机二氧化矽系膜之形成方法，系包含有：在基材上形成由具有–Si–O–Si–构造与–Si–CH2–Si–构造之矽化合物所构成之涂膜的步骤；对上述涂膜施行加热的步骤；以及对上述涂膜照射紫外线而施行硬化处理的步骤。