| 摘要 |
本发明可获得一种抑制由于真空中连续溅射而产生之热量造成的基板升温，且降低于被处理物产生倾斜或变形的真空处理装置。该真空处理装置之特征在于具备：主腔室10，其可排气为真空状态；加载互锁机构20，其保持主腔室之真空状态，并将碟片状被处理物101搬出入于主腔室内外；水平旋转搬送台50，其配置于主腔室10内，并具备与加载互锁机构20之间进行碟片状被处理物之授受、搭载的复数个承受器57，以旋转轴52为中心进行旋转而形成碟片状被处理物之搬送路；复数个成膜室30，其于上述主腔室内沿以上述旋转轴52为中心之圆周配置，于藉由旋转搬送台搬送之碟片状被处理物沉积多层膜；以及冷却机构40，其分别配置于各成膜室间，冷却碟片状被处理物。 |
