| 摘要 |
本案之实施例系有关于一基体或晶圆边缘支架，其具有之放射率大于一矽晶圆，其中该边缘支架系用于在一晶圆上或晶圆中形成电路装置的处理期间支撑该晶圆。实施例亦包括温度感测器、热传导气体喷射器、及光子能量，可被引导以在退火期间感测及控制该边缘支架及／或晶圆边缘之温度，而相较于该晶圆中心减少在边缘之温度下卷或上卷。明确地说，使用具有放射率在处理期间大于或等于该晶圆的一边缘支架，允许氦气喷射器被导向该边缘支架及／或晶圆边缘，以减少在退火期间于该晶圆边缘之温度上卷。由于来自不同处理与退火位置之晶圆会全部具有不同的放射率，使用回授回路将可使一边缘环能在不同放射率之一范围内支援晶圆的均匀退火。 |
