氧氮化膜及氧化膜之形成方法、形成装置、氧氮化膜、氧化膜及基材

摘要

本发明系关于一种氮化膜以及氧氮化膜之形成方法，其与氮化反应之氮化时间．氮化温度无依存性，且可低温．高速氮化形成均匀之氮化膜以及氧氮化膜。于压力300(Torr)以上之压力下，于对向之一对电极之至少一侧对向面设置固体介电体，于该一对对向电极间导入含有0.2％以下之氧化物的氮气，将藉由施加电场所获得之N2(2^nd p.s.)或N2(H.I.R.)活性种电浆接触于被处理物，从而于该被处理物表面形成氮化膜／氧氮化膜。