薄膜半导体装置之制造方法、薄膜半导体装置、光电装置及电子机器

摘要

发明课题为提供一种不用增加制造工程，可以使电容元件之介电质膜之膜厚比TFT之闸极绝缘膜之膜厚薄的薄膜半导体装置之制造方法、薄膜半导体装置、该光电装置及该电子机器。其解决手段是在TFT阵列基板10构成蓄积电容70之时，自光罩401之开口401a，将杂质导入至半导体膜1a之延伸设置部分1f，并自该光罩401之开口401a蚀刻介电质膜2c之表面。因此，不用增加制造工程，亦可以使蓄积电容70之介电质膜2c之膜厚比TFT30之闸极绝缘膜2a之膜厚薄。