| 摘要 |
本发明系关于一种具有高电荷保持特性之非挥发性半导体记忆元件及制造方法；也就是说，知之浮闸型非挥发性半导体记忆元件系电荷保持特性变低，作为用以补偿该浮闸型非挥发性半导体记忆元件之对策系得到必须使得隧道绝缘膜及闸极氧化膜之厚度充分地变厚之方法。但是，该结果系有所谓不容易实现动作速度之高速化或记忆容量之高密度化等之课题发生。为了解决前述课题，因此，在本发明之非挥发性半导体记忆元件，作为保持电荷之浮闸系使用高功函数或高电子亲和力之材料，或者是使用和半导体基板或控制闸极间之功函数差变小之材料，甚至使用电子亲和力不之非结晶质材料，来作为母相绝缘体。此外，调节在电荷保持层成膜时之超微粒材料和母相绝缘体材料间之供应比、例如溅镀法之标靶之两相之材料混合比而使得超微粒之外壳间隔距离成为最适当化。可以藉由这些而提高在浮闸型非挥发性半导体记忆元件之室温及高温之环境下之电荷保持特性，并且，稳定重写特性或多值记忆动作，同时，能够解决知之非挥发性半导体记忆元件之前述课题。 |
