超薄晶粒及其制造方法

摘要

根据一特定实施例，本发明揭示了一种处理半导体基板之方法，藉此可薄化基板，且可藉由普通制程单一化形成在基板上之晶粒。沟槽区域(42，43)形成在基板之背面。背面之各同向性蚀刻导致基板之薄化，同时维持沟槽之深度，进而利于晶粒之单一化。