利用气体化学之周期性调节及烃类之添加进行电浆剥除的方法

摘要

一种藉由基板上的光阻蚀刻罩在一低－k介电层中蚀刻图案(feature)之方法。实施气体调节周期剥除程序三估以上的周期以剥除单一光阻罩。每一循环的气体调节周期性剥除程序包括实施一保护层形成阶段及一剥除阶段。该保护层形成阶段系使用有沈积气体化学的第一气体化学，其中该保护层形成阶段系以每一周期约0.005至10秒实施的。剥除光阻罩所用的剥除阶段系使用利用剥除气体化学的第二气体化学实施的，其中该第一气体化学不同于该第二气体化学，其中该蚀刻阶段系以每一周期约0.025至10秒实施。