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发明名称
半导体元件及其制造方法
摘要
一种制造半导体元件的方法,包含如下之步骤:把一个在一个第一导体之接触区域上的第二绝缘薄膜移去;形成一个第二导电薄膜于该第二绝缘薄膜上;把在该第一导体之接触区域上的第二导电薄膜移去俾可使该第二导电薄膜作成一个第二导体;形成一个覆盖该第二导体的中间层绝缘薄膜(一个第三绝缘薄膜);形成一个第一孔洞于在该接触区域上的中间层绝缘薄膜中;及形成一个与该接触区域电气连接的导电插塞于该第一孔洞内。
申请公布号
TW200614518
申请公布日期
2006.05.01
申请号
TW094101520
申请日期
2005.01.19
申请人
富士通股份有限公司
发明人
江间泰示;崎彻
分类号
H01L29/788;H01L21/8247
主分类号
H01L29/788
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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