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发明名称
使用液晶树脂之具有低热膨胀系数的介电膜
摘要
本发明一具体实例为一种提供具有可控制的热膨胀系数(CTE)的介电膜材料之技术。其包括形成包含第一种液晶性部分之第一化合物,将该第一化合物浇铸成第一膜,在磁场或电磁场中将该第一膜定向在第一方向,在第一温度下熟化该第一膜。
申请公布号
TW200613141
申请公布日期
2006.05.01
申请号
TW094121245
申请日期
2005.06.24
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
詹姆士 马塔雅柏
分类号
B32B5/16;B05D7/00;H01L23/532;H01L21/56
主分类号
B32B5/16
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国
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