发明名称 使用液晶树脂之具有低热膨胀系数的介电膜
摘要 本发明一具体实例为一种提供具有可控制的热膨胀系数(CTE)的介电膜材料之技术。其包括形成包含第一种液晶性部分之第一化合物,将该第一化合物浇铸成第一膜,在磁场或电磁场中将该第一膜定向在第一方向,在第一温度下熟化该第一膜。
申请公布号 TW200613141 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094121245 申请日期 2005.06.24
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 詹姆士 马塔雅柏
分类号 B32B5/16;B05D7/00;H01L23/532;H01L21/56 主分类号 B32B5/16
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国