发明名称 雷射辅助热压印方法
摘要 本发明系有关于一种雷射辅助热压印方法,其主要系使用矽作为预先定义图形并压印至光阻材料产生图形转印的模仁,利用适当波长的雷射作为加热源,对矽模仁进行加热经由压印时的接触产生热传导,进而熔化光阻材料,由于与矽相关的IC制程已经发展得臻至成熟,因此能提供优于其它以石英作为模仁材料的压印技术,其优点包括具制作容易、成本较低、高深宽比、可弹性设计三维的图形与结构,因此此技术可被应用在现今的IC制程中、光子晶体、微光学元件以及可大量制造需要图形转印制程的微米或是奈米结构。
申请公布号 TWI254367 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094123994 申请日期 2005.07.15
申请人 国立成功大学 发明人 刘全璞;李永春;萧飞宾;邱正宇;陈俊宏;庄承鑫
分类号 H01L21/30;B29C59/02 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 陈金铃 台南市安平区建平五街122号
主权项 1.一种雷射辅助热压印方法,主要包含的步骤有: (a)准备模仁,模仁硬度必须要比被压印的材料硬, 且能够吸收加热光源效率良好的模仁材料; (b)在模仁表面上涂布脱模剂; (c)准备基材; (d)在基材上涂布被压印材料; (e)将加热光源由模仁背面入射至定义好图形的模 仁上; (f)施加预压力于模仁上,将模仁上的图形压印至被 压印材料上; (g)降温移除模仁,使模仁与被压印材料能完全脱离 。 2.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该模仁材料为矽晶圆。 3.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该模仁上可具有微米/奈米尺寸及更大和更 小的图形。 4.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该模仁材料为可被雷射加热的材料。 5.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该模仁材料为可被灯源加热的材料。 6.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该模仁材料为可被雷射与灯源加热的材料。 7.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该模仁材料包含:半导体材料、金属材料、 石英、玻璃材料、陶瓷材料、塑胶材料、高分子 材料、具导电材质、无机材料、合成材料。 8.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该脱模剂为铁氟龙。 9.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法, 其中,该脱模剂为可协助模仁与被压印材料脱离的 材料。 10.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该基材系为矽。 11.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该基材包含:半导体材料、金属材料、石英 、玻璃材料、陶瓷材料、有机材料、塑胶材料、 高分子材料、具导电材质、无机材料、合成材料 。 12.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该被压印材料涂布于基材上的方法系以包 括:旋涂方法(Rotary Spindle)、印刷方法(Printing)、物 理沉积法(Physical Deposition)以及化学增层方法( Chemical Deposition)。 13.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该被压印材料为SU-8。 14.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该被压印材料包含polymer材质、有机材料、 塑胶材料、光阻材。 15.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该被压印材料为包含polymer材质、有机材料 、塑胶材料、半导体材料、金属材料、石英、玻 璃材料、陶瓷材料、无机材料、具导电材质、合 成材料。 16.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该加热光源为波长1064nm之雷射。 17.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该加热光源可包含雷射与灯泡。 18.如申请专利范围第17项所述雷射辅助热压印方 法,其中,该加热光源之雷射光波长从1nm至103m。 19.如申请专利范围第17项所述雷射辅助热压印方 法,其中,该加热光源之灯泡发出的光波长从1nm至 103m。 20.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该外加压力方式可为机械式、电磁式、液 压式以及气压式。 21.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,模仁的定义图形包含乾式蚀刻步骤反应离 子蚀刻(Reactive Ion Etching)。 22.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,模仁的定义图形包含感应耦合电浆蚀刻( Inductively Coupled Plasma)。 23.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该基材与模仁皆可具备有对准功能的记号 。 24.如申请专利范围第23项所述雷射辅助热压印方 法,其中,该基材与模仁之对准功能的记号(align key) ,为分别设计在基材与模仁上之特殊符号,其功用 为提供基材与模仁图案间的对准。 25.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该基材的被定义图形包含沉积材料于蚀刻 完成后暴露于基材表面上的区域。 26.如申请专利范围第25项所述雷射辅助热压印方 法,其中,该基材之沉积材料包含金属材料、半导 体材料、导电性材料、陶瓷材料、无机材料、合 成材料。 27.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该基材包含选择性的移除沉积材料(lift off) 的制程。 28.如申请专利范围第1项所述雷射辅助热压印方法 ,其中,该压印步骤可重复在相同基材上不同被压 层。 图式简单说明: 第一图:本发明之流程图 第二图:本发明之对准功能记号图 第三图:本发明之矽模仁的扫描式电子显微镜图( 放大85倍) 第四图:本发明之矽模仁的扫描式电子显微镜图( 放大850倍) 第五图:本发明之矽模仁转印在被压印材料的扫描 式电子显微镜图 第六图:本发明之矽模仁转印在被压印材料的扫描 式电子显微镜放大图
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