反射式平面发光源

摘要

一种反射式平面发光源，系具有一可呈任何阵列形式的场发射子元件结构，前述场发射子元件结构乃由基板、金属反射层、发光层及数个场发射子元件所组成，其中前述基板上具有一个以上的沟槽，而金属反射层与发光层则依序形成于沟槽上，且每一场发射子元件以阵列配置于沟槽中之金属反射层与发光层上方，藉以使光源可有效反射以提高发光强度，另外，本发明系采无支撑层方式，其上、下基板可使用相同材质，有助于封装后真空度的维持，场发射子元件阵列可具有检修配线设计，若电极线其中之一形成开路，仍可确保整体运作。

主权项

1.一种反射式平面发光源,包括有: 一基板,系于该基板上形成一个以上的沟槽; 一金属反射层,系形成于该沟槽中; 一发光层,系形成于该沟槽中并位于该金属反射层 上方; 复数个场发射子元件(field emitter element),系以阵列 配置于该沟槽中并位于该发光层与该金属反射层 上方,且各该场发射子元件系耦接至一第一电压源 ; 一透光基板,具有一表面与一底面,系叠放于该基 板上方,使两者间构成一封闭空间;及 一透明导电层,系形成于该透光基板的底面上,该 透明导电层系耦接至一第二电压源,其中该第二电 压源的电压高于该第一电压源的电压。 2.如申请专利范围第1项所述之反射式平面发光源, 其中该沟槽系为复数个,并呈现阵列排列,以供该 些场发射子元件分别安设于该些沟槽中。 3.如申请专利范围第2项所述之反射式平面发光源, 其中该基板之每一对相邻的该些沟槽之间具有一 闸极电极,该闸极电极系耦接至一第三电压源,其 中该第三电压源的电压系高于该第一电压源的电 压及低于该第二电压源的电压。 4.如申请专利范围第3项所述之反射式平面发光源, 其中该基板本体系呈U型。 5.如申请专利范围第3项所述之反射式平面发光源, 其中该透光基板本体系呈倒U型。 6.如申请专利范围第3项所述之反射式平面发光源, 其中该些场发射子元件系由包覆碳材的导电材料 构成。 7.如申请专利范围第6项所述之反射式平面发光源, 其中该碳材系选自下列任一者:奈米碳材、钻石及 类钻石。 8.如申请专利范围第3项所述之反射式平面发光源, 其中该发光层系为萤光层及磷光层任一者。 9.如申请专利范围第3项所述之反射式平面发光源, 其中该些场发射子元件系以群组方式分别耦接至 一辅助导线,而该辅助导线系耦接至该第一电压源 ,及每一群组中的该些场发射子元件系彼此串联。 10.如申请专利范围第2项所述之反射式平面发光源 ,其中该基板本体系呈U型。 11.如申请专利范围第2项所述之反射式平面发光源 ,其中该透光基板本体系呈倒U型。 12.如申请专利范围第2项所述之反射式平面发光源 ,其中该些场发射子元件系由包覆碳材的导电材料 构成。 13.如申请专利范围第12项所述之反射式平面发光 源,其中该碳材系选自下列任一者:奈米碳材、钻 石及类钻石。 14.如申请专利范围第2项所述之反射式平面发光源 ,其中该发光层系为萤光层及磷光层任一者。 15.如申请专利范围第2项所述之反射式平面发光源 ,其中该些场发射子元件系以群组方式分别耦接至 一辅助导线,而该辅助导线系耦接至该第一电压源 ,及每一群组中的该些场发射子元件系彼此串联。 16.一种反射式场发射子结构,包括有: 一基板,系于该基板上形成一个以上的沟槽; 一金属反射层,系分别形成于该沟槽中; 一发光层,系形成于该沟槽中并位于该金属反射层 上方;及 复数个场发射子元件(field emitter element),系以阵列 配置于该沟槽中并位于该发光层与该金属反射层 上方,且各该场发射子元件系耦接至一第一电压源 。 17.如申请专利范围第16项所述之反射式场发射子 结构,其中该沟槽系为复数个,并呈现阵列排列,以 供该些场发射子元件分别安设于该些沟槽中。 18.如申请专利范围第17项所述之反射式场发射子 结构,其中每一对相邻的该些沟槽之间具有一闸极 电极,该闸极电极系耦接至一第二电压源,其中该 第二电压源的电压高于该第一电压源的电压。 19.如申请专利范围第18项所述之反射式场发射子 结构,其中该些场发射子元件系由包覆碳材的导电 材料构成。 20.如申请专利范围第19项所述之反射式场发射子 结构,其中该碳材系选自下列任一者:奈米碳材、 钻石及类钻石。 21.如申请专利范围第18项所述之反射式场发射子 结构,其中该些场发射子元件系以群组方式分别耦 接至一辅助导线,而该辅助导线系耦接至该第一电 压源,及每一群组中的该些场发射子元件系彼此串 联。 22.如申请专利范围第18项所述之反射式场发射子 结构,其中该基板本体系呈U型。 23.如申请专利范围第17项所述之反射式场发射子 结构,其中该些场发射子元件系由包覆碳材的导电 材料构成。 24.如申请专利范围第23项所述之反射式场发射子 结构,其中该碳材系选自下列任一者:奈米碳材、 钻石及类钻石。 25.如申请专利范围第17项所述之反射式场发射子 结构,其中该些场发射子元件系以群组方式分别耦 接至一辅助导线,而该辅助导线系耦接至该第一电 压源,及每一群组中的该些场发射子元件系彼此串 联。 26.如申请专利范围第17项所述之反射式场发射子 结构,其中该基板本体系呈U型。 图式简单说明: 第1图系一具有奈米碳管场发射子的习知平面发光 源的截面示意图; 第2A图系本发明场发射子结构之第一具体实施例 的截面示意图; 第2B图系第2A图场发射子结构俯视图; 第2C图系第2A图场发射子结构之一变化例的截面示 意图; 第2D图系第2A图场发射子结构之另一变化例的截面 示意图; 第3A图系本发明场发射子结构之第二具体实施例 的截面示意图; 第3B图系第3A图场发射子结构俯视图; 第3C图系第3A图场发射子结构之一变化例的截面示 意图; 第3D图系第3A图场发射子结构之另一变化例的截面 示意图; 第4图系本发明反射式场发射子结构之第三具体实 施例的俯视图; 第5图系本发明反射式场发射子结构之第四具体实 施例的俯视图; 第6A图系使用第2A图场发射子结构的反射式平面发 光源的截面示意图; 第6B图系使用第3A图场发射子结构的反射式平面发 光源的截面示意图; 第6C图系使用第2C图场发射子结构的反射式平面发 光源的截面示意图; 第6D图系使用第3C图场发射子结构的反射式平面发 光源的截面示意图; 第6E图系使用第2D图场发射子结构的反射式平面发 光源的截面示意图;及 第6F图系使用第3D图场发射子结构的反射式平面发 光源的截面示意图。