| 主权项 |
1.一种光阻组成物,系包括光活性成分及含有聚合 物之树脂,该聚合物包括(1)酸式不稳定基、(2)间- 羟苯基及(3)对-羟苯基,其中该聚合物包括下式II之 结构: 其中R为视需要经取代之烷基; R1及R2各自为相同或不同之非-氢取代基; R3、R4及R5各自分别为氢或视需要经取代之烷基; m及n各自分别为0至4;以及 w、x及y各自大于0,且为该聚合物各别单元之莫耳 百分率。 2.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中w、x及y 之总和为该聚合物总单元之至少约90莫耳百分率 。 3.一种光阻组成物,系包括光活性成分及含有聚合 物之树脂,该聚合物包括(1)酸式不稳定基、(2)间- 羟苯基及(3)对-羟苯基,其中该聚合物包括下式III 之结构: 其中W包括酸式不稳定基; R1及R2各自为相同或不同之非-氢取代基; R3、R4、R5、及R6各自分别为氢或视需要经取代之 烷基; m及n各自分别为0至4;以及 S为不含酸性或酸性反应性部份之基; w'、x'、y'及z'各自大于0,且为该聚合物各别单元之 莫耳百分率。 4.如申请专利范围第3项之光阻组成物,其中w'、x' 、y'及z'之总和为该聚合物总单元之至少约90莫耳 百分率。 5.一种光阻组成物,系包括光活性成分及含有聚合 物之树脂,该聚合物包括(1)酸式不稳定基、(2)间- 羟苯基及(3)对-羟苯基,其中该聚合物包括下式IV之 结构: 其中R为视需要经取代之烷基; R1'、R2'及R3'各自分别为氢或甲基; w、x及y各自大于0,且为该聚合物各别单元之莫耳 百分率。 6.如申请专利范围第5项之光阻组成物,其中R为第 三丁基、金刚烷基、四氢喃基、或去甲烷基 。 7.如申请专利范围第5项之光阻组成物,其中w、x及y 之总和为该聚合物总单元之至少约90莫耳百分率 。 8.一种形成光阻浮雕影像(relief image)之方法,系包 括: (a)涂覆一层如申请专利范围第1、3或5项之光阻组 成物至基板上;以及 (b)将该基板上之该光阻涂层曝光及显影,以产生光 阻浮雕影像。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该基板为微电 子晶圆或平面显示器基板。 10.如申请专利范围第1、3或5项之光阻组成物,其系 涂覆于制造物件之基板上。 11.如申请专利范围第10项之组成物,其中该基板为 微电子晶圆或平面显示器基板。 12.一种用于光阻之聚合物,其系包括: (1)酸式不稳定基;(2)间-羟苯基;及(3)对-羟苯基,其 中该聚合物包括下式IV所示之结构: 其中R为视需要经取代之烷基; R1'、R2'及R3'各自分别为氢或甲基; w、x、及y各自大于0,且为该聚合物各别单元之莫 耳百分率。 |
