| 主权项 |
1.一种产生奈米结构之方法,包括: 提供一操作平台,该操作平台具有一微探针及相对 该微探针的一基材; 使该微探针与该基材之一表面的距离接近至一奈 米尺度,以便该微探针与该基材间由于分子间吸引 力及表面力之影响,而产生跳跃接触及黏滞现象, 并且因为黏滞力而进一步导致该微探针与该基材 的该表面的原子产生迁移;以及 分开该微探针与该基材,以于该微探针与该基材之 该表面间产生一奈米结构。 2.如申请专利范围第1项所述之产生奈米结构之方 法,其中该奈米结构包括奈米线或奈米点。 3.如申请专利范围第1项所述之产生奈米结构之方 法,其中该奈米结构系由一原料所制成,该原料是 该微探针或该基材本身之材料。 4.如申请专利范围第1项所述之产生奈米结构之方 法,其中该奈米结构系由一原料所制成,该原料是 布植于该基材或该微探针表面之材料。 5.如申请专利范围第3项或第4项所述之产生奈米结 构之方法,其中该奈米结构包括该原料本身或其化 合物。 6.如申请专利范围第4项所述之产生奈米结构之方 法,其中该奈米结构产生之关键包含操作参数、环 境状况、黏滞现象的发生、该微探针的运动控制 、该原料布植于该微探针及该基材表面之状态及 生产中该原料之供给状态。 7.如申请专利范围第1项所述之产生奈米结构之方 法,其中该操作平台包括原子力显微镜(Atomic Force Microscope)、扫描探针显微镜(Scanning Probe Microscope) 及其它具有微奈米级作动解析度之机台。 8.如申请专利范围第1项所述之产生奈米结构之方 法,其中产生之该奈米结构的尺寸与形状可由接触 面积大小、该微探针的位移控制及操作环境之状 态来改变。 9.如申请专利范围第1项所述之产生奈米结构之方 法,其中该微探针包括阵列形式。 10.一种根据申请专利范围第1项至第9项其中任一 项的产生奈米结构之方法所制作的奈米结构,系作 为奈米模具与奈米模具的母模其中之一。 11.一种产生奈米结构之方法,包括: 提供一操作平台,该操作平台具有一微管及相对该 微管的一基材,且该微管内填充于有一原料; 使该微管与该基材之一表面的距离接近至一奈米 尺度,以便该微管与该基材间由于分子间吸引力及 表面力之影响,而产生跳跃接触及黏滞现象,并且 因为黏滞力而进一步导致该微管与该基材的该表 面之该原料的原子产生迁移;以及 分开该微管与该基材,以于该微管与该基材之该表 面间产生一奈米结构。 12.如申请专利范围第11项所述之产生奈米结构之 方法,其中该奈米结构包括奈米线或奈米点。 13.如申请专利范围第11项所述之产生奈米结构之 方法,其中该奈米结构包括该原料本身或其化合物 。 14.如申请专利范围第11项所述之产生奈米结构之 方法,其中该奈米结构产生之关键包含操作参数、 环境状况、黏滞现象的发生、该微管的运动控制 、材料填充于该微管中之状态及生产中该原料之 供给状态。 15.如申请专利范围第11项所述之产生奈米结构之 方法,其中该操作平台包括具有微奈米级作动解析 度之机台。 16.如申请专利范围第11项所述之产生奈米结构之 方法,其中产生之该奈米结构的尺寸与形状可由接 触面积大小,该微管的位移控制及操作环境之状态 来改变。 17.如申请专利范围第11项所述之产生奈米结构之 方法,其中该微管包括阵列形式。 18.一种根据申请专利范围第11项至第17项其中任一 项的产生奈米结构之方法所制作的奈米结构,系作 为奈米模具与奈米模具的母模其中之一。 图式简单说明: 图1系本发明之黏滞现象导致原子迁移的示意图。 图2A至图2C是依照本发明之一较佳实施例之产生奈 米结构的制造流程示意图,其中图2B与图2C一并显 示原子迁移的示意图。 图3A至图3H系显示图2A至图2C之原子迁移的示意图 。 图4是利用微管取代图2B之微探针来产生奈米结构 的剖面示意图。 |
